삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16기가비트 DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD와 호환성 검증을 마쳤다.

삼성전자는 유전율이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 캐패시터의 용량을 높이고 회로 특성 개선 등을 통해 공정을 완성했다고 21일 밝혔다.

12나노급 D램은 멀티레이어 극자외선 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 이전 세대 제품 대비 생산성이 20% 향상됐다.

DDR5 규격의 이 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

12나노급 D램은 이전 세대보다 소비 전력이 23% 개선돼 기후 위기 극복의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

이주영 메모리사업부 DRAM 개발실장 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 지속 가능한 경영 환경을 제공하겠다"고 말했다.