▲ 해외 기업 이직을 목적으로 반도체 핵심기술을 유출하려던 삼성전자 전 연구원이 불구속 기소됐다. ⓒ 삼성전자
▲ 해외 기업 이직을 목적으로 반도체 핵심기술을 유출하려던 삼성전자 전 연구원이 불구속 기소됐다. ⓒ 삼성전자

반도체 주요기술을 유출해 해외 업체로 이직하려던 삼성전자 전 수석연구원이 불구속 기소됐다.

서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부는 산업기술보호법위반과 부정경쟁방지법위반 및 업무상배임죄로 삼성전자 전 연구원 A씨를 불구속기소했다고 30일 밝혔다.

삼성전자 연구원으로 일하던 A씨는 해외 반도체 기업에 이직할 목적으로 지난해 3월부터 6월까지 D램 반도체 관련 국가핵심기술을 이메일로 유출한 혐의를 받는다.

검찰에 따르면 A씨가 유출한 자료엔 'D램 반도체 적층조립기술' 등 13개의 국가핵심기술과 'D램 반도체 사업화 전략 자료' 등 100개가량의 영업비밀이 담겨 있었다.

검찰 관계자는 "죄질에 상응하는 처벌이 내려지도록 공소유지에 만전을 기하겠다"며 "앞으로도 국가 경제안보와 직결된 기술유출은 엄정히 대응하겠다"고 말했다.

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