SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램인 'HBM3'의 기술적 한계를 다시 한 번 넘어섰다.

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 "지난해 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다"며 "최근 인공지능 산업이 확대되며 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급하겠다"고 말했다.

SK하이닉스 기술진은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다.

TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다.

SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을 받고 있다.

최신 규격인 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있다.

현재 다수 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행하고 있으며 고객들 역시 이 제품에 대해 큰 기대감을 보이고 있는 것으로 알려졌다.

홍상후 SK하이닉스 부사장은 "세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"며 "상반기 내 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 하겠다"고 말했다.