삼성 시스템반도체 171조원 투자 … 파운드리 공정 시설투자 가속
삼성 시스템반도체 171조원 투자 … 파운드리 공정 시설투자 가속
  • 정지민 기자
  • 승인 2021.05.13 16:36
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▲ 삼성전자 평택캠퍼스 반도체 생산라인 전경 ⓒ 삼성전자
▲ 삼성전자 평택캠퍼스 반도체 생산라인 전경 ⓒ 삼성전자

삼성전자가 2030년까지 파운드리를 포함한 시스템반도체(비메모리) 부문의 투자금액을 171조원으로 확대하고 2030년까지 시스템반도체 1위가 되겠다는 목표를 13일 밝혔다.

김기남 삼성전자 디바이스솔루션 부문 부회장은 13일 평택 캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 '시스템반도체 2030 비전'을 발표했다. 비전은 향후 2030년까지 시스템반도체 분야에 171조원을 투자해 파운드리 공정 연구개발·시설투자를 가속화하겠다는 내용을 포함했다.

이는 2019년 4월 정부와 삼성전자가 '시스템반도체 비전 선포식'에서 밝힌 133조원보다 투자금액을 38조원 늘린 것이다.

시스템반도체 비전 선포식 이후 삼성전자는 지난 2년 동안 반도체 제조 기업과 반도체 설계회사, 공급망의 핵심인 소재·부품·장비 업체, 학계 등 국내 반도체 생태계 주요 구성원 간의 상호 협력을 활성화했다고 회사는 설명했다.

최근 모든 산업영역에서 반도체 부족 사태가 빚어지고 있다. 각국 정부가 미래 산업의 핵심인 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 삼성전자의 시스템 반도체 투자는 K-반도체의 위상을 한층 높여줄 것이라 회사는 설명했다.

삼성전자는 이날 행사에서 2022년 하반기에 평택 3라인을 완공하고, 본격적인 생산에 들어갈 것이라고 말했다.

평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다.

모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 △차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용 △메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM' △D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.

김기남 삼성전자 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다는, 결코 따라올 수 없는 초격차를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다"고 말했다.

삼성전자는 국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원·투자도 더욱 확대한다.

삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동을 더욱 확대하고 공급망 핵심인 소재·부품·장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력을 더욱 강화해 나갈 예정이다.

파운드리 분야는 사업이 커지면 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커진다. 많은 팹리스 창업이 이뤄지면 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 업그레이드되는 부가 효과를 유발한다.

삼성전자의 파운드리 사업 확대는 5G, AI, 자율주행 등 우리나라 미래 산업의 밑거름 역할을 할 것으로 기대된다.

삼성전자 김기남 부회장은 "지금이야말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때이다. 우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아가겠다"고 말했다. ⓒ 세이프타임즈


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