▲ 황선환 미래기술연구원 TL(왼쪽 2번째)와 장세억 SK하이닉스 사내대학 교수(오른쪽 2번째)가 SK하이닉스 제5회 혁신특허포상 시상식에서 금상을 수상했다. ⓒ SK하이닉스
▲ 황선환 미래기술연구원 TL(왼쪽 두번째)와 장세억 SK하이닉스 사내대학 교수(오른쪽 두번째)가 SK하이닉스 제5회 혁신특허포상 시상식에서 금상을 수상하고 있다. ⓒ SK하이닉스

SK하이닉스는 '혁신특허포상' 시상식을 개최했다고 8일 밝혔다.

SK하이닉스는 2018년부터 시작해 올해로 5년째를 맞은 이 시상식은 통해 회사의 매출과 기술혁신에 크게 기여한 특허를 선정하고 이를 발명한 구성원을 포상하고 있다.

7일 포상 수여는 김윤욱 지속경영담당 부사장, 민경현 특허담당 부사장 등 담당 임직원들이 수상자들의 소속 조직이 있는 현장으로 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

금상은 DRAM 내부의 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 DRAM개발 신범주 TL과 DRAM 내부의 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 미래기술연구원 황선환 TL, 장세억 SK하이닉스 사내대학 교수가 수상했다.

SK하이닉스는 이외에도 NAND, Solution, Package 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 10건의 혁신특허를 선정하고 이를 발명한 구성원 19명에게 상패와 상금을 수여했다.

SK하이닉스 관계자는 "이 제도를 기반으로 구성원의 연구 의욕을 고취하고 회사의 이익과 기술력이 증대되는 선순환 구조를 형성해 글로벌 일류 기술기업으로 나아가기 위한 강한 특허를 지속적으로 발굴해 나가겠다"고 말했다.

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